4. IGBT一旦進入飽和，此時的電壓為飽和電壓UCEsat，dUCE/dt會下降到零，也沒有任何回饋。在到達時間點E之前，驅動電流會對閘極一直充電，其效果和在AB段相似。
不同廠商的資料手冊和應用文件都給出了類似圖1的閘極電荷充電曲線，也給出了在時間點E時的電荷QG=f(UGE)。
如果給了IGBT閘-射極之間的建議電容CGE，就可以根據該電容得出閘極充電曲線或充電電荷QG。因為閘極電荷與溫度幾乎無關，所以閘極電荷量測都是在環境溫度為25℃時完成的。但是閘極電荷與IGBT的技術和標稱電流有關。
由於閘極幾何結構上的不同，溝槽閘極IGBT比平面IGBT具有更高的閘極電荷，微溝槽技術的元件閘極電荷會相對較大一些，因為IGBT設計中可以提高閘極密度，做一些偽溝槽來平衡元件的電容，提高元件的抗干擾能力。所以對於微溝槽閘IGBT，閘極電容CGE和充電電荷QG的值相對大一點，所以，微溝槽閘IGBT需要提供更大的驅動功率。